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| 规格书 |
MUN5214DW1, NSBC114YDxx |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 10k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 47k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | - |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 47k |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 标准包装 | 4,000 |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 80 @ 5mA, 10V |
| 系列 | NSBC114YDXV6 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| RoHS | RoHS Compliant |
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